RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1971, номер 5, страницы 99–101 (Mi qe3257)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K

Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Файнбойм, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов


Аннотация: Описываются результаты экспериментальных исследований основных параметров активной области инжекционных лазеров на основе диффузионных и эпитаксиальных рn-переходов и гетеропереходов в системе GaAs–AlAs. Показано, что гетеролазеры с двусторонним ограничением обладают более хорошими характеристиками: удельный коэффициент усиления 1С–2 см/а, плотность тока инверсии 2,1 ка/см2, потери 26 см–1.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 02.04.1971


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, 1:5, 508–509


© МИАН, 2024