RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 12, страницы 1181–1184 (Mi qe3277)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Исследование характеристик рентгеновского излучения высокотемпературной плазмы с помощью стеклянно-капиллярных конвертеров

В. Л. Канцыревa, А. Р. Мингалеевb, О. Г. Петрухинa, С. А. Пикузb, В. М. Романоваb, Т. А. Шелковенкоb, А. С. Шляпцеваa, А. Я. Фаеновc

a Научно-исследовательский институт технического стекла, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН РФ, г. Москва
c Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.

Аннотация: Исследована структура излучающей области плазменного источника типа Х-пинча с помощью нового физического прибора – стеклянно-капиллярного конвертера. Показано, что стеклянно-капиллярный конвертер однозначно воспроизводит изображение структуры плотной горячей плазмы Х-пинча в мягком рентгеновском диапазоне спектра. В отличие от традиционных камер-обскур он обеспечивает ослабление интенсивности жесткого рентгеновского излучения на два порядка и повышение контраста изображения. Предложена новая методика исследования временной эволюции пространственного распределения интенсивности мягкого рентгеновского излучения плазменных источников.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Dg, 52.70.La, 52.38.Ph, 52.58.Lq

Поступила в редакцию: 25.05.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:12, 1026–1029

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024