RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 1, страницы 26–28 (Mi qe3326)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Генерационные характеристики кристаллов Mg2SiO4:Cr при лазерной накачке

А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов

Научно-исследовательский институт ядерных проблем при Белорусском государственном университете им. В. И. Ленина, Минск

Аннотация: Экспериментально исследованы генерационные характеристики кристаллов форстерита Mg2SiO4:Cr в различных режимах генерации. Показано, что при высокоинтенсивной накачке происходит уменьшение КПД вследствие наведенного поглощения в активной среде. Сформулирован критерий для выбора оптимальной интенсивности накачки в различных режимах работы. Впервые получена генерация при накачке ВЧ цугами импульсов квазинепрерывного лазера на YAlO3:Nd. Достигнуты энергии генерации более 2 Дж при накачке излучением лазера на неодимовом стекле в режиме свободной генерации.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 21.05.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, 22:1, 19–21

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024