Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем

Изучены квантово-размерные инжекционные лазеры с напряженным активным слоем InGaAs, работающие в области 980 нм. Для толщины слоя 6 — 7 нм минимальная пороговая плотность тока при комнатной температуре и длине резонатора 540 мкм составила 120 А/см². В полосковых лазерных диодах гребенчатого типа (RW — ridge-waveguide) изучены явления, сопровождающие исчезновение рефрактивного бокового ограничения вследствие «антиволноводного» влияния избыточных носителей: срывы и бистабильный режим генерации, гистерезис мощности, изменение диаграммы направленности. Представлены расчеты модового усиления в RW-лазерах при различных геометрических параметрах и в зависимости от концентрации избыточных носителей. Показано, что модовое усиление может проходить максимум и затем существенно уменьшаться с ростом накачки, что использовано в объяснении срыва генерации и гистерезиса мощности.