Влияние формы кристаллического активного элемента на выходную мощность одномодового лазера

Исследовано влияние формы активного элемента (АЭ) из ИАГ:Nd на мощность основной TEM₀₀-моды излучения. Показано, что если в АЭ сделать неглубокие прорези, расположенные между кристаллографическими осями в местах наибольшего наведенного накачкой двулучепреломления, то удастся увеличить мощность излучения на 40–50 %. Эти прорези улучшают теплоотвод из центральной части АЭ, ответственной за генерацию TEM₀₀-моды, и тем самым снижают тепловую деформацию, искажающую волновой фронт световой волны.