RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 2, страницы 179–181 (Mi qe3740)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната

В. В. Осико, В. Б. Сигачев, В. И. Стрелов, М. И. Тимошечкин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Создан лазер на кристалле ГГГ:Ег с ламповой накачкой, генерирующий излучение одновременно на двух длинах волн: 2794 и 2822 нм. В режиме многомодовой свободной генерации получена выходная энергия лазера 400 мДж при энергии импульса накачки 100 Дж. Средняя мощность свободной генерации составила 2,2 Вт при частоте следования импульсов 20 Гц и энергии импульсов накачки 66 Дж. Показано, что использование кристаллов ГГГ:Ег, соактивированных ионами Се3+, позволяет расширить спектр накачки в УФ область и снизить порог генерации.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.70.Hj, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 14.09.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:2, 159–160

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024