Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин, В. А. Конюшкин, “Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2–”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 223

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F₂^–

Т. Т. Басиев^ab, А. Н. Кравец^ab, С. Б. Миров^ab, А. В. Федин^ab, В. А. Конюшкин^ab

^a Ковровский филиал Владимирского политехнического института
^b Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Впервые получена устойчивая импульсно-периодическая генерация с пиковой мощностью до 64 кВт и средней мощностью до 65 Вт в многомодовом и 21 кВт, 20 Вт – в одномодовом режиме. Изменением уровня накачки достигнуто изменение длительности импульсов в пределах 100–300 нс и частоты их следования в пределах 1–10 кГц при начальном пропускании кристалла LiF:F₂^– 68 % на длине волны 1064 нм.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Gd, 42.60.Pk, 42.70.Hj, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 18.07.1990
Исправленный вариант: 01.11.1990