RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 3, страницы 301–304 (Mi qe3778)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Газовые, химические и эксимерные лазеры

Влияние времени задержки между предымпульсом и импульсом основного разряда на характеристики электроразрядного XeCl-лазера

Е. А. Петрухин, А. С. Подсосонный

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Приведены результаты эксперимента с XeCl-лазером, активная смесь которого возбуждалась по схеме «предыонизация – предымпульс – основной разряд». Предварительная ионизация смеси осуществлялась через плоский сетчатый электрод УФ излучением искрового массива. Использовалась смесь 2,2 атм Ne (Не) + 6 мм рт. ст. Хе + 0,6 мм рт. ст. НСl. Исследовано влияние задержки τ импульса основного разряда относительно предымпульса на характеристики лазера. В отсутствие задержки пятно генерации представляло собой прямоугольник размером 4×2,5 см. При τ > 100 нс наблюдалось заметное падение энергии импульса генерации, в центре пучка генерация исчезала и пучок превращался в две светящиеся полосы, расстояние между которыми увеличивалось с ростом т. Наблюдаемое изменение профиля интенсивности хорошо описывается в рамках модели, учитывающей неоднородное распределение колебательно-возбужденных молекул HCl (ν = 1, 2, 3, ...), образующихся после прохождения предымпульса. Скорость прилипания электронов к молекулам HCl (ν = 1, 2, 3, ...) на два порядка выше, чем к невозбужденным молекулам, поэтому процессы прилипания электронов идут значительно быстрее в центре разрядной области, чем на периферии. Проведены численные оценки. Сравнение экспериментальных зависимостей с расчетными показало хорошее качественное согласие. Обсуждаются прикладные аспекты и возможности использования этого явления на практике.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.80.Mg, 42.60.By, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 20.04.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:3, 269–272

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024