RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 4, страницы 466–469 (Mi qe3825)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Модель инициирования приповерхностной лазерной плазмы при малых временах плазмообразования

Ю. М. Васьковский, Р. Е. Ровинский, Б. Т. Федюшин, А. С. Филатов

Научно-производственное объединение «Астрофизика», Москва

Аннотация: Предложена феноменологическая модель инициирования приповерхностной лазерной плазмы для малых времен (порядка и менее 5·10–7 с) плазмообразования, учитывающая зависимость поглощательной способности дефекта поверхности от его размера и от локальной концентрации таких дефектов. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных времен плазмообразования.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Jm, 52.38.-r

Поступила в редакцию: 01.06.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:4, 422–425

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024