RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 5, страницы 479–484 (Mi qe387)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Импульсный фотолиз иодидов в присутствии тушащих газов. 3. Фотолиз C3F7OI

Т. Л. Андреева, О. В. Дзябенко, С. В. Кузнецова, А. И. Маслов

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Методом тушащего буфера измерены константы скоростей основных реакций импульсного фотолиза иодида С3F7OI (RI) и его смесей с буферными газами М (CF3H, H2O): R+R → R2; R+I → RI; I*+RI, M, I2 → I+RI, M, I2; I + I + RI, M → I2 + RI, M. Определены коэффициенты ударного уширения линии рабочего перехода фотодиссоционного лазера молекулами С3F7OI, CF3H, H2O и вероятности образования возбужденных атомов иода при фотодиссоциации иодидов С2F5I и C3F7OI широкополосным УФ излучением. Как и для ранее изученных иодидов, подтверждена малая эффективность рекомбинации радикалов C2F5 и C3F7O с возбужденными атомами иода.

PACS: 82.50.Fv, 42.55.Ks

Поступила в редакцию: 04.08.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:5, 454–460

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024