RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 6, страницы 693–694 (Mi qe3901)

Управление параметрами лазерного излучения

Использование вынужденного рассеяния для улучшения пространственных характеристик мощного ХеCl-лазера

Ю. И. Бычков, Н. Г. Иванов, В. Ф. Лосев

Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск

Аннотация: Приведены результаты экспериментального наблюдения ВРМБ при накачке широкополосным деполяризованным излучением XeCl-лазера длительностью 300 нс гексана и кварцевых стержней. Полученное вынужденное рассеяние используется для улучшения пространственных характеристик XeCl-лазера с энергией 30 Дж и неустойчивым телескопическим резонатором. Получено повышение интенсивности излучения в фокальном пятне лазерного потока в 3 раза.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.65.Es, 42.65.Re, 42.60.Jf, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 19.10.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:6, 630–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024