Аннотация:
Осуществлена пассивная модуляция добротности лазера на ИАГ: Cr, Tm, Но с помощью выходного германиевого
зеркала. При этом, в отличие от лазера на ИСГГ: Cr, Tm, Но, при комнатной температуре не наблюдалось
повреждения поверхности полупроводника гигантскими импульсами.