Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов, “Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 844

Активные среды

Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy

Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов

Институт физики АН АзССР, Баку

Аннотация: Обнаружено усиление интенсивности излучения свободных экситонов, обусловленное «залечиванием» структурных дефектов за счет обменного взаимодействия ионов гольмия в кристаллах InSe, активированных соединением гольмия.

УДК: 621.373.826

PACS: 71.35.-y, 71.70.Gm, 78.55.Hx, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 14.09.1990