RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 364–370 (Mi qe4091)

Излучательные характеристики инжекционных лазеров с малой длиной резонатора

Т. В. Батюнина, Ю. Л. Бессонов, В. И. Бородулин, М. В. Зверков, В. П. Коняев, О. А. Пашко, С. А. Пашко, В. А. Симаков, В. И. Швейкин

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: Экспериментально исследованы пороговые, мощностные и спектральные характеристики излучения инжекционных лазеров на основе гетероструктуры с двойным ограничением в системе GaAs–AlAs c малой (до 16 мкм) длиной плоскопараллельного резонатора и мезаполасковой конструкцией контакта шириной 10–14 мкм. Получена линейная зависимость коэффициента усиления лазерного излучения от плотности тока накачки в интервале значений коэффициента усиления 10–400 см–1. Минимальные пороговые токи лазеров составляли 27–30 мА, одночастотный режим генерации наблюдался вплоть до токов накачки, равных (1,6–1,7) Iпор. Достигнута максимальная мощность одночастотной генерации 35 мВт. Показана перспективность сохранения одночастотного режима в таких лазерах при высокочастотной модуляции тока накачки.

УДК: 621.382.3

PACS: 42.60.Da, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 20.01.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:2, 201–204

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024