RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 6, страницы 504–506 (Mi qe4096)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя

В. В. Прохоровa, Д. С. Шваковa, С. Д. Якубовичb

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя (ПЛУ) бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминесцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм ПЛУ, выполненных на основе двухсторонних (InGa)PAs-гетероструктур с раздельным ограничением, и различных СЛД в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 14.03.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:6, 504–506

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024