RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 370–376 (Mi qe4099)

Образование свободных атомов фтора при лазерно-столкновительном инициировании реакции CH3F+F2

В. И. Игошинab, С. Ю. Пичугинab

a Куйбышевский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Куйбышевский государственный университет

Аннотация: Развита и численно исследована кинетическая модель реакции CH3F с F2, инициируемой лазерным излучением в смеси сложного компонентного состава, характерного для химического DF–СO2-лазера. Показана возможность образования значительной концентрации свободных атомов F (~1016 см–3) за достаточно короткое время (~1 мкс) при умеренных интенсивностях лазерного импульса (~1МВт/см2). Полученные результаты указывают на перспективность использования этой реакции для создания химических лазерных усилителей, инициируемых ИК излучением.

УДК: 621.373.8.038.82

PACS: 82.30.Lp, 82.20.Hf, 42.55.Ks, 82.20.Wt

Поступила в редакцию: 21.01.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:2, 205–208

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024