RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 2, страницы 449–452 (Mi qe4138)

Краткие сообщения

Интегрально-оптический фотоприемник на внешнем фотоэффекте через барьер Шоттки

В. А. Караванский, В. Н. Морозов, Л. Ф. Плавич, Ю. М. Попов, В. Л. Смирнов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовались возможности использования фотоэффекта через барьер Шоттки на границе металл – полупроводник для регистрации волноводного излучения. Измерены зависимости фототока и фото-эдс от мощности на входе фотоприемника на основе волноводных структур GaAsxP1–x–GaP с барьерами, образованными контактом с золотом и серебром и проведен расчет квантовой эффективности.

УДК: 621.373

PACS: 85.60.Gz, 73.30.+y, 73.40.Sx, 42.82.+n

Поступила в редакцию: 26.04.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:2, 259–261

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024