Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследовались возможности использования фотоэффекта через барьер Шоттки на границе металл – полупроводник для регистрации волноводного излучения. Измерены зависимости фототока и фото-эдс от мощности на входе фотоприемника на основе волноводных структур GaAsxP1–x–GaP с барьерами, образованными контактом с золотом и серебром и проведен расчет квантовой эффективности.