RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 598–602 (Mi qe4160)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера из GaAlAs

И. С. Голдобин, Л. А. Ривлин, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, Ю. А. Тамбиев, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Представлены экспериментальные данные о линии усиления инжекционного гетеролазера и дано их удовлетворительнее обобщение в виде выражений, аналогичных тем, которые следуют из обычной модели сильно легированного арсенида галлия с переходами между «хвостом» состояний у дна зоны проводимости и локальным уровнем без соблюдения правил отбора по квазиимпульсу.

УДК: 621.373.8.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 17.02.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 354–357

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024