RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 652–655 (Mi qe4179)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Экспериментальные исследования инжекционных лазеров с неоднородной накачкой

В. И. Бородулин, В. П. Коняев, Е. Р. Новикова, А. А. Тагер, Д. П. Трегуб, Б. Б. Эленкриг

Институт радиотехники и электроники, Москва

Аннотация: Исследованы инжекционные лазеры на основе двойной гетероструктуры AlxGa1-xAs–GaAs с неоднородной накачкой. Продемонстрирована возможность и бистабильного режима работы таких лазеров с временами переключения менее 2·10–10 с. Исследован режим регулярных пульсаций излучения, обусловленных неоднородной накачкой. Показана возможность перестройки частоты пульсаций в интервале частот до 2 ГГц при длительности пичков менее 2,5·10–10 с. Показано, что частота пульсаций f ~(IIn)1/2, где I и In – ток через диод и пороговый ток соответственно.

УДК: 621.373.8.038.84

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 05.05.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:3, 398–401

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024