RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 4, страницы 833–837 (Mi qe4207)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

О механизме образования эксимера XeJ(B) при фотовозбуждении смеси Xe–J2

H. К. Бибинов, И. П. Виноградов, Л. Д. Михеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: При фотовозбуждении смеси Xe–J2 в области длин волн λ = 110–195 нм изучался механизм образования эксимера XeJ(B). В спектре люминесценции эксимера XeJ зарегистрированы две полосы: BX (λ ~250 нм) и BA (λ ~320 нм). Показано, что при тушении люминесценции Xe–J ксеноном образуется эксимер Xe–J2, люминесценция которого зарегистрирована в области λ ~300–400 нм. Показано, что эффективность реакции между возбужденной молекулой йода и атомом ксенона с образованием эксимера XeJ(B) зависит от энергии возбуждения молекулы йода. Максимум квантового выхода люминесценции XeJ(BX) достигается при оптической накачке в области λ = 183 нм.

УДК: 621.373.826

PACS: 33.50.Dq, 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 05.05.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:4, 516–519

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024