Ф. В. Бункин, В. М. Быстрицкий, В. И. Держиев, А. Н. Диденко, В. В. Коробкин, Я. Е. Карасик, Г. Ю. Петрущенко, С. С. Сулакшин, С. И. Яковленко, “Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1063

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком

Ф. В. Бункин, В. М. Быстрицкий, В. И. Держиев, А. Н. Диденко, В. В. Коробкин, Я. Е. Карасик, Г. Ю. Петрущенко, С. С. Сулакшин, С. И. Яковленко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: При накачке плотного (p = 0,5–2,5 атм) гелия протонным пучком (j = 2–12 A/см²) впервые наблюдалось стимулированное излучение на переходах 4–3 (λ = 468,5 нм) и 5–3 (λ = 320 нм) водородоподобного иона He II. Усиление имеет место в квазистационарной переохлажденной плазме за счет рекомбинационной накачки верхних рабочих уровней.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.55.Fn, 34.50.Hc

Поступила в редакцию: 12.07.1982