Международный лазерный центр при Белорусском государственном университете, г. Минск
Аннотация:
Для кристалла Gd2SiO5:Cr4+ исследованы оптическое поглощение, температурные зависимости интенсивности и времени затухания люминесценции, а также спектры нестационарного поглощения, измеренные методом пикосекундного возбуждения-зондирования. На основе анализа полученных данных сделан вывод о том, что наблюдаемое в области 600–650 нм наведенное поглощение обусловлено переходами из возбужденного состояния 3T2(3F) → 3T1(3P). Время жизни уровней 3T2(3F) и 3T1(3F) оценивается соответственно как 15 нс и 12 пс. Найденное сечение поглощения из первого возбужденного состояния на длине волны 616 нм составляет (1.1 ± 0.6)·10-18 см2, а из основного состояния на λ = 540 нм – (2.2 ± 1.1)·10-18 см2.