RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 11, страницы 1313–1314 (Mi qe4377)

Лазеры

Мощный квантово-размерный AlGaAs/GaAs-инжекционный лазер с широким контактом и остронаправленной диаграммой направленности

О. В. Данилина, А. Е. Косых, А. С. Логгинов, С. А. Пашко

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы.спектральные и пространственно-временные характеристики излучения квантово-размерных AlxGa1–xAs/GaAs инжекционных лазеров с широким контактом. Расходимость однолепестковой диаграммы направленности равнялась дифракционному пределу (0,5°) вблизи порога генерации и возрастала в 1,5 раза при трехкратном его превышении. Мощность излучения в импульсном режиме при токе I = 3I пор составила 150 мВт.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 13.06.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:11, 1197–1198

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024