Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Исследованы.спектральные и пространственно-временные характеристики излучения квантово-размерных
AlxGa1–xAs/GaAs инжекционных лазеров с широким контактом. Расходимость однолепестковой диаграммы направленности равнялась дифракционному пределу (0,5°) вблизи порога генерации и возрастала в 1,5 раза при трехкратном его превышении. Мощность излучения в импульсном режиме при токе I = 3Iпор составила 150 мВт.