Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках

Вычислен коэффициент усиления света для межзонных переходов в полупроводнике в условиях сильного легирования. Получены аналитические выражения для квазиуровней Ферми электронов и дырок, применимые в широком интервале температур и концентраций примесей. Обсуждаются качественные особенности полученных результатов. Приведены примеры вычисления лазерных пороговых характеристик для рассматриваемого типа оптических переходов.