RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 7, страницы 701–705 (Mi qe442)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрушении прозрачных диэлектриков при многократном облучении

М. Ф. Колдуновa, А. А. Маненковb, И. Л. Покотилоa

a НПО "Оптроника", г. Долгопрудный, Моск. обл.
b Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Предложена феноменологическая модель эффекта накопления необратимых изменений, инициированных поглощающими включениями в прозрачном диэлектрическом материале под действием лазерного излучения. Исследована кинетика накопления необратимых изменений в случае как сильно поглощающего, так и слабо поглощающего включения. Установлены основные закономерности процесса накопления, в частности зависимость интенсивности лазерного излучения, приводящего к разрушению диэлектрика в режиме многократного облучения, от числа импульсов. Результаты сопоставляются с экспериментальными данными.

PACS: 61.80.Ba

Поступила в редакцию: 25.10.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:7, 674–678

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024