Запоминающая система металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл с записью и считыванием лучом света

Экспериментально показана возможность работы структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл на основе высокоомного полупроводника в качестве запоминающего устройства с записью и считыванием лучом света. Оценена необходимая мощность светового импульса для записи и считывания информации. Наблюдавшееся время хранения информации при комнатной температуре не превышает 10^–3 сек, при 77°K – более 8 ч. Оценена и экспериментально подтверждена возможность многократного считывания записанной информации. Длительность светового импульса считывания при этом не должна превышать ~10^–8 сек. Стирание информации происходит при выключении постоянного смещения или наложения поля полярности, обратной полю смещения. Время цикла запись–стирание составляет ~10^–7 сек.