Н. Г. Басов, Е. М. Дианов, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, A. М. Прохоров, П. А. Трубенко, Е. А. Щербаков, “Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K”, Квантовая электроника, 22:8 (1995), 756

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Письма в редакцию

Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K

Н. Г. Басов^a, Е. М. Дианов^b, В. И. Козловский^a, А. Б. Крыса^a, А. С. Насибов^a, Ю. М. Попов^a, A. М. Прохоров^c, П. А. Трубенко^b, Е. А. Щербаков^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^c Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлена сверхрешетка с напряженными слоями ZnCdSe/ZnSe, использованная в качестве активного слоя в экране лазерной электронно-лучевой трубки. При комнатной температуре получена мощность в 1.6 Вт в одной продольной моде на длине волны 484 нм и улучшены ранее известные результаты при энергии электронов ниже 50 кэВ.

PACS: 42.55.Px, 85.10.Me

Поступила в редакцию: 18.05.1995