Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3

Проанализированы процессы заселения метастабильного состояния ⁴F_3/2 в полупроводниковых материалах – кристалле γ-La₂S₃:Nd³⁺ и стекле La₂S₃·2Ga₂O₃:Nd³⁺ – при нерезонансном стоксовом возбуждении. Показано, что скорость безызлучательных переходов из верхних возбужденных состояний Nd³⁺ в метастабильное в стекле значительно выше, чем в кристалле. Отмечена большая эффективность возбуждения ионов Nd³⁺ при накачке в полосу собственного поглощения в стекле по сравнению с кристаллом. Сделан вывод, что полупроводниковое стекло состава La₂S₃·2Ga₂O₃:Nd³⁺ лишено отрицательных свойств, которые делают оптическую накачку кристалла малоэффективной.