Преобразование ближнего поля излучения полупроводниковых лазеров многомодовым прямоугольным световодом

Теоретически рассчитаны и экспериментально продемонстрированы преобразования двумерных амплитудно-фазовых распределений поля излучения одиночного и решетки инжекционных полупроводниковых лазеров, осуществляемые прямоугольным световодом, бóльших по сравнению с длиной волны излучения поперечных размеров. Рассмотрены схемы построения двумерных излучающих решеток полупроводниковых лазеров (генераторов и усилителей) с когерентным взаимодействием полей.