RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1696–1699 (Mi qe4589)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера

А. М. Правилов, И. И. Сидоров, В. А. Скороходов

Научно-исследовательский институт физики при Ленинградском государственном университете им. А. А. Жданова

Аннотация: Исследована люминесценция эксимера XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, образующегося в реакциях O $(^1D)+$ Xe $\rightleftarrows$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, O $(^1S)+$ Xe $+$ Xe $\to$ XeO $^*(d^1\Sigma^+)+$ Xe, XeO $^*(d^1\Sigma^+)\to$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)+h\nu$. Показано, что переход в последней реакции осуществляется на уровне VeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, лежащие выше нижней из точек пересечения этих и $X^3\Pi$, $A^3\Sigma$-состояний, вследствие чего молекулы XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$ быстро предиссоциирует.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Fn, 33.80.Gj

Поступила в редакцию: 03.11.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:8, 1119–1121

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024