RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 8, страницы 788–790 (Mi qe461)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Лазер на кристалле GdVO4:Nd3+ с волоконным вводом диодной накачки

О. А. Власенко, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, В. А. Козлов, П. А. Студеникин, В. В. Тер-Микиртычев, И. А. Щербаков

Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Создан одномодовый GdVO4:Nd3+-лазер (λ = 1.06 мкм) с волоконной диодной накачкой (λ = 0.81 мкм), работающий в непрерывном режиме и в режиме пассивной модуляции добротности резонатора. Разработана технология ввода излучения лазерных диодов в волоконные световоды с эффективностью до 93%. Без фокусировки излучения накачки выходная мощность (при мощности накачки 175 мВт) и порог генерации в полусферическом резонаторе длиной 10 см составили 38 и 15 мВт соответственно. В режиме пассивной модуляции добротности с помощью кристаллов LiF:F2- получен импульсно-периодический режим с длительностью импульсов 15–100 нс, частотой повторения 5–200 кГц и пиковой мощностью 10 Вт.

PACS: 42.55.Rz, 42.81.Wg

Поступила в редакцию: 02.12.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1995, 25:8, 758–759

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024