RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 229–231 (Mi qe4672)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Письма в редакцию

Вынужденное излучение на линии таллия 535 нм при квазирезонансной оптической накачке смеси Тl–He излучением рекомбинационного He–Ca-лазера

С. Н. Атамась, Л. М. Букшпун, Ю. В. Коптев, Е. Л. Латуш, М. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет им. М. А. Суслова

Аннотация: Получено вынужденное излучение на линии 535 нм таллия при оптической накачке смеси Тl–Не в фиолетовое крыло уширенной давлением резонансной линии таллия 377,6 нм рекомбинационным He–Ca-лазером с λ = 373,7 нм. Накачка осуществлялась в результате поглощения при переходах между разлетными термами квазимолекулы Тl–Не. Средняя мощность вынужденного излучения достигала 5 мВт при частоте следования импульсов 6 кГц. Эффективность преобразования полезной части импульса накачки составила 45 %.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 33.80.Be, 33.70.Jg, 42.65.Ky

Поступила в редакцию: 16.09.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:2, 161–162

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024