Генерация в ионизированном селене

Исследованы свойства генерации на переходах иона селена в импульсном и непрерывном режимах. Установлено, что при импульсном разряде заселение верхних энергетических уровней может происходить как за счет электронного возбуждения из основного состояния атома, так и за счет перезарядки ионов гелия на нейтральных атомах селена. Для непрерывного режима определена зависимость мощности генерации от условий разряда, измерены параметры плазмы и вычислена скорость накачки верхних уровней лазерных переходов процессами перезарядки и электронного возбуждения. Сравнение вычисленной скорости накачки с измеренной показало, что в непрерывной режиме основной вклад в создание инверсии населеннностей на энергетических уровнях иона селена дает перезарядка.