RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 12, страницы 1477–1480 (Mi qe4752)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Рост периодических структур на поверхности германия при воздействии импульсного лазерного излучения

Д. О. Барсуков, Г. М. Гусаков, А. И. Фролов

Московский институт электронной техники

Аннотация: Экспериментально исследована динамика роста периодических поверхностных структур (ППС), возникающих при воздействии импульсного лазерного излучения. Образцы Ge облучались лазерными импульсами (λ = 1,06 мкм, τ = 70 нс) с плотностями энергии в диапазоне 0,5–5,5 Дж/см2. Исследовалась динамика первого порядка дифракции зондирующих (λ = 0,53 мкм) лазерных импульсов с временным разрешением 4 нс в условиях воздействия p- и s-поляризованного лазерного излучения при углах падения, близких к нормальному. Обнаружена сильная нелинейность роста ППС. Установлено, что плотность энергии, с которой начинается генерация ППС, зависит от качества полировки поверхности Ge. Оценены параметры динамики роста ППС.

УДК: 621.373.826:539.293

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk

Поступила в редакцию: 20.06.1991


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, 21:12, 1363–1365

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024