RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 1, страницы 14–16 (Mi qe4775)

Лазеры, активные среды лазеров

Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. Ленинград

Аннотация: Представлены результаты исследований оптических характеристик широких (a = 60 мкм) полосковых InGaAsP/InP (λ = 1,3 мкм) ДГС-лазеров, изготовленных методом жидкостной эпитаксии. Оптические свойства исследованных лазеров с раздельным ограничением (РО) и широкой полоской в диапазоне токов накачки (1–5) Ip обусловлены суперпозицией нулевой моды и нескольких поперечных мод с индексами 1–4, причем размеры области генерации для каждой из этих мод сравнимы с шириной полоска. Сравнение оптических характеристик РО-ДГС- и обычных ДГС-лазеров, изготовленных в сходных технологических условиях, показывает, что в случае РО-ДГС-лазеров наблюдается существенно более стабильное распределение ближнего поля в плоскости структур.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 26.10.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:1, 9–11

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024