RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 10, страницы 1961–1963 (Mi qe4841)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Письма в редакцию

Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме

Е. В. Жариков, М. Б. Житкова, Г. М. Зверев, М. П. Исаев, С. П. Калитин, И. И. Куратев, В. Р. Кушнир, В. В. Лаптев, В. В. Осико, В. А. Пашков, А. С. Пименов, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, М. Ф. Стельмах, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о создании неодимового лазера на новом кристалле – гадолиний-скандий-галлиевом гранате, активированном ионами хрома и неодима (ГСГГ:Cr3+, Nd3+), работающего в частотном режиме. При энергии накачки 7,3 Дж за импульс была достигнута выходная энергия свободной генерации 255 мДж, т. е. абсолютный КПД составил величину 3,5 %. При максимальной частоте повторения импульсов (20 Гц), ограниченной источником питания, средняя выходная мощность составила 5 Вт при мощности накачки 145 Вт. Дифференциальный КПД составил 4,5%, что в 2,4 раза выше, чем для кристалла АИГ : Nd3+ в аналогичных условиях; размеры активного элемента лазера Ø 5 × 50 мм. В режиме модулированной добротности дифференциальный КПД составил 3 % в области накачки 3–7 Дж.

УДК: 535:621.078

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 21.06.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:10, 1306–1307

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024