Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Описан полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на ZnS, работающий в сканирующем (при температуре кристалла T = 80 К на длине волны 330 нм с мощностью 0,3 Вт) и импульсном (300 К, 345 нм, 3 кВт) режимах.