И. В. Василищева, В. М. Зубков, Р. М. Саввина, Г. Г. Скроцкая, Н. Ф. Стародубцев, О. Н. Таленский, B. Н. Полубояров, В. А. Труфан, “Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2109

Краткие сообщения

Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия

И. В. Василищева, В. М. Зубков, Р. М. Саввина, Г. Г. Скроцкая, Н. Ф. Стародубцев, О. Н. Таленский, B. Н. Полубояров, В. А. Труфан

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Кристаллы сульфида кадмия с нарушенным слоем толщиной около 5 мкм отжигались импульсами лазера на KrF* длительностью 10 нс. Найдено, что структура кристалла улучшается при облучении кадмиевой стороны. На серной стороне эффект не замечен. Пороговая плотность энергии ~0,25 Дж/см².

УДК: 535.211:549.31:546.48

PACS: 81.40.Ef, 42.60.Kg

Поступила в редакцию: 16.02.1983