RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 11, страницы 2352–2355 (Mi qe4979)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Характеристики излучения инжекционных гетеролазеров на основе GaSb/GaAlAsSb

А. С. Адливанкин, H. Д. Жуков, В. М. Райгородский, С. А. Сосновский, Л. И. Шестак


Аннотация: Экспериментально исследуются излучательные характеристики инжекционных гетеролазеров в системе GaSb/GaAlAsSb в температурном диапазоне –70°C – +70°C. Обсуждается связь температурных зависимостей порогового тока и дифференциальной квантовой эффективности с температурными изменениями картины ближнего поля и внутренних параметров лазеров. Получен непрерывный режим генерации вплоть до температуры –10°C.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 08.02.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, 13:11, 1532–1534

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024