Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Письма в редакцию

Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см² при 300 K

Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии на подложках pInP изготовлены двусторонние гетероструктуры с трехслойным волноводом и малой (менее 0,1 мкм) толщиной узкозонного активного слоя. В высокодобротных четырехсторонних резонаторах при комнатной температуре пороговая плотность тока снижена до 512 А/см² и получен непрерывный режим генерации на неполосковых диодах.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Pk, 42.60.Jf, 42.79.Gn

Поступила в редакцию: 29.11.1983