Расчет эффективности оптической накачки цезия-133 монохроматическим излучением

Проведены машинные расчеты заселенностий зеемановских подуровней атомов цезия-133 при возбуждении излучением одночастотного лазера переходов в сверхтонкой структуре линий D₁ и D₂ в предельных случаях – без перемешивания P-состояний и при полном P-перемешивании. Указаны оптимальные схемы накачки для квантовых стандартов частоты и магнитометров за счет селективного возбуждения отдельных компонент линии линейно-поляризованным лазерным излучением.