RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 4, страницы 757–765 (Mi qe5030)

Обратная задача статистики лазерного пробоя

Ю. К. Данилейко, Ю. П. Минаев, А. В. Сидорин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Развиты методы построения устойчивых решений обратной задачи лазерного пробоя прозрачных сред, содержащих микродефекты. Предложен метод построения функции плотности вероятности пробоя непосредственно по экспериментально измеряемым уровням отсечки прошедшего через среду импульса излучения. На основе этого метода разработан практический алгоритм для восстановления зависимости концентрации микродефектов от пороговой интенсивности инициирования пробоя. Применение этого алгоритма продемонстрировано на примере исследования дефектной структуры кристалла сапфира.

УДК: 621.375.82

PACS: 61.80.Ba, 42.55.Rz, 02.30.Zz, 02.50.Cw

Поступила в редакцию: 08.07.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:4, 511–516

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024