RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 2(14), страницы 112–114 (Mi qe5091)

Краткие сообщения

Влияние штарковской модуляции молекулярных колебаний на вынужденное комбинационное рассеяние

С. К. Потапов, Б. А. Медведев, М. А. Ковнер, И. Л. Клюкач


Аннотация: Выведены формулы для восприимчивостей ВКР для случая двухмодового падающего излучения. Штарковский сдвиг частоты молекулярных колебаний может осциллировать с частотой биений между модами. Эти осцилляции, в свою очередь, модулируют молекулярные колебания, так что в спектре рассеянного излучения появятся линии, отстоящие друг от друга на частоту биений. Показано, что с ростом интенсивности возбуждающего излучения происходит выравнивание коэффициентов усиления для все большего числа линий рассеянного излучения. При этом максимальный коэффициент усиления падает, что означает уменьшение эффективности ВКР. Таким образом происходит размножение компонент дискретной структуры рассеянного излучения в результате усиления шума спонтанного рассеяния. Показано, что образование дискретной структуры за счет параметрических процессов с учетом штарковской модуляции имеет существенные особенности: с ростом интенсивности возбуждающего света максимальным будет взаимодействие соседних компонент структуры, далеко отстоящих от центра несмещенной линии.

УДК: 535.375+621.375.826

PACS: 42.65.Dr, 42.65.An, 42.50.Hz, 42.60.Jf, 33.55.Be

Поступила в редакцию: 30.05.1972
Исправленный вариант: 05.01.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:2, 170–171


© МИАН, 2024