RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 3(15), страницы 40–45 (Mi qe5113)

Спектральное исследование генерации на связанных переходах в газовых лазерах

В. М. Гримблатов, Е. П. Остапченко, В. В. Теселкин


Аннотация: На основе физической модели провалов Беннета проведен анализ влияния конкуренции излучения на переходах с общим рабочим уровнем на частотный спектр излучения на отдельном переходе. Получены зависимости коэффициента усиления от частоты с учетом поля конкурирующего перехода. Экспериментально исследован спектр излучения гелий-неонового лазера на длинах волн 0,63 и 1,15 мкм. Найдены области максимального взаимодействия конкурирующих переходов и условия одночастотной генерации одновременно на двух длинах волн.

УДК: 621.378.335.8

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 18.10.1971
Исправленный вариант: 03.03.1972


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, 3:3, 201–204


© МИАН, 2024