RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1180–1185 (Mi qe5163)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12

А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Обнаружены стадии статической упорядоченной, статической неупорядоченной и миграционно-ограниченной релаксаций верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12. Различными способами определены значения микропараметров переноса энергии. Показано, что различия в величинах микропараметров взаимодействия, определяемые спецификой оптических спектров и схем кристаллического расщепления в разных кристаллах, а также различия в геометрии кристаллических решеток приводят к качественным изменениям в процессах безызлучательной релаксации энергии с верхнего лазерного уровня. Сопоставление полученных экспериментально результатов с результатами теории обнаружило их количественное согласие.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 78.60.-b, 71.70.Ch, 61.70.-r, 61.50.-f

Поступила в редакцию: 30.06.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:6, 744–747

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024