RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 1, страницы 162–164 (Mi qe5201)

Краткие сообщения

Акустооптическое взаимодействие в волноводе на основе GaAlAs

А. А. Ильич, С. М. Киккарин, Д. В. Петров, А. В. Царев, И. Б. Яковкин

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: На основе известных работ и дополнительных экспериментов проводится сравнительный анализ эффективности акустооптического взаимодействия в волноводах на основе GaAIAs и Ti:LiNbO3. Эксперимент, выполненный в GaAlAs-волноводе на частоте 100 МГц, показал, что при прочих равных условиях величина коэффициента акустооптического качества GaAlAs-волноводов на порядок выше, чем Ti:LiNbO3.

УДК: 621.372.8.029.7

PACS: 42.79.Jq, 42.79.Gn, 42.55.Px, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 01.02.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:1, 102–103

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024