RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1269–1271 (Mi qe5231)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

О влиянии поглощения энергии возбуждения с уровня 4I13/2 ионов эрбия на режим работы лазеров на кристаллах Lu3Al5O12:Er

M. А. Андриасян, Н. В. Варданян, Р. Б. Костанян

Институт физических исследований АН АрмССР, Аштарак-2

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований лазеров на кристаллах Lu3Al5O12:Er, работающих на самонасыщающемся переходе 4I11/24I13/2. Показано существенное влияние поглощения энергии возбуждения с уровня 4I13/2 ионов эрбия на энергетические характеристики лазера.

УДК: 621.373.826.038.8252

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 23.08.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:6, 804–806

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024