RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 1, страницы 56–60 (Mi qe5260)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

О роли параметрических эффектов при генерации высших компонент ВКР в газах

Р. Б. Андреев, В. А. Горбунов, С. С. Гулидов, С. Б. Паперный, В. А. Серебряков


Аннотация: Приведены результаты численных расчетов резонансного параметрического взаимодействия антистоксовой компоненты, накачки, первой и второй стоксовых компонент ВКР в газе (четырехволновая модель). Оптимизирован ВКР-преобразователь на водороде и дейтерии. При давлении 0,5–1 атм получено трехцветное излучение с угловой расходимостью 0,5 мрад, максимальной энергией антистоковой компоненты 100 мДж (ВКР в H2, эффективность преобразования 6 %) и 150 мДж (ВКР в D2) и высокой пространственной когерентностью, что позволило записать голограммы рассеивающих объектов на длинах волн 0,43, 0,53 и 0,68 мкм.

УДК: 535.375.5

PACS: 42.65.Cq, 51.70.+f

Поступила в редакцию: 16.03.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:1, 35–37

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024