RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1332–1337 (Mi qe5270)

Влияние структуры фронта ударной волны на характер свечения рекомбинирующей лазерной плазмы

В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. М. Дякин, С. А. Майоров, И. Ю. Скобелев, А. Я. Фаёнов, А. И. Федосимов, К. А. Шилов, С. И. Яковленко

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Выполнены пространственно-временны́е и спектральные измерения характеристик, излучения лазерной плазмы, взаимодействующей с плоским экраном: построена диаграмма направленности скоростей движения наиболее быстрой компоненты плазмы, найдена скорость перемещения основной массы плазменного сгустка, определена скорость «отхода» ударной волны от экрана, оценена скорость распространения «языка» теплопроводностного прогрева электронов. Показано, что в зоне теплопроводностного прогрева, где падает рекомбинационная накачка (и соответственно свечение ионных линий), интенсивность непрерывного спектра несколько возрастает. Зарегистрировано резкое увеличение интенсивности рекомбинационного свечения лазерной плазмы при помещении на пути ее разлета плоского экрана и показано, что это связано со структурой фронта образующейся УВ в плазме. Отмечается, что интенсификация рекомбинационного заселения уровней в скачке плотности ударной волны может быть использована для усиления излучения на переходах многозарядных ионов.

УДК: 533.951:621.373.826

PACS: 52.38.-r, 52.35.Tc, 52.25.-b

Поступила в редакцию: 10.09.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 901–904

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024