RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1344–1348 (Mi qe5272)

Оптоэлектронные затворы на основе полупроводников

Ф. Брюкнер, Ф. Керстан

Университет им. Ф. Шиллера, Йена, ГДР

Аннотация: Исследован полупроводниковый оптоэлектронный затвор, с помощью которого определено время рекомбинации носителей в GaAs. Создан быстрый затвор на основе GaAs, который используется для изучения процессов в других полупроводниковых материалах.

УДК: 621.374.2:621.373.826

PACS: 42.79.Ta, 85.60.-q, 42.70.Nq

Поступила в редакцию: 23.08.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:7, 909–911

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024